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特徴

  • NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics
  • 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

仕様

  • 入数:1袋(5個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:50 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:60V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:18 mΩ
  • 最大ゲートしきい値電圧:4V
  • 最低ゲートしきい値電圧:2V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V
  • パッケージタイプ:TO-220
  • 実装タイプ:スルーホール
  • トランジスタ構成:シングル
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:110W
  • 標準ターンオフ遅延時間:36 ns
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:485-7715

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